原子層沉積（ALD）是一項(xiàng)真正意義上的納米技術(shù)，使納米超薄薄膜以一種精確控制的方式沉積。

　　原子層沉積(ALD)是一項(xiàng)真正意義上的納米技術(shù)，使納米超薄薄膜以一種精確控制的方式沉積。

　　原子層沉積ALD有兩個(gè)特征;

　　自限性原子分層技術(shù)增長(zhǎng)和高保形涂層。這些特征在半導(dǎo)體工程、微機(jī)電系統(tǒng)和其他納米技術(shù)的應(yīng)用程序使用方面展現(xiàn)許多優(yōu)勢(shì)。

　　原子層沉積的優(yōu)勢(shì)

　　原子層沉積的過(guò)程正是每個(gè)周期中單個(gè)原子層沉積的過(guò)程，*控制的沉積是一個(gè)獲得納米尺度的過(guò)程:

　　保形涂層即使在高深寬比和復(fù)雜的結(jié)構(gòu)中也可以實(shí)現(xiàn)

　　可實(shí)現(xiàn)針孔和無(wú)顆粒沉積

　　一個(gè)非常廣泛的材料與原子層沉積是可能的，例如:

　　氧化物：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, SrTiO3, Ta2O5, Gd2O3, ZrO2, Ga2O3, V2O5, Co3O4, ZnO, ZnO:Al, ZnO:B, In2O3:H, WO3, MoO3, Nb2O5, NiO, MgO, RuO2

　　氟化物：MgF2, AlF3

　　有機(jī)雜化材料：Alucone

　　氮化物：TiN, TaN, Si3N4, AlN, GaN, WN, HfN, NbN, GdN, VN, ZrN

　　金屬：Pt, Ru, Pd, Ni, W

　　硫化物：ZnS

　　ALD工具比較

　　原子層沉積系統(tǒng)包括FlexAL和OpAL 兩款。