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SUM60030E-GE3 n溝道場效應管

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SUM60030E-GE3 n溝道場效應管更新:2024-3-13 14:49:17點擊:產(chǎn)品品牌Vishay產(chǎn)品型號SUM60030E-GE3產(chǎn)品描述MOSFET N-Channel 80V (D-S) TrenchFET...PDF下載 詢價 申請樣品

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產(chǎn)品介紹

描述

Vishay SUM 和 SUP ThunderFET 技術 TrenchFET MOSFET 引入新的 N 通道極性選項,可在 ThunderFET 和 TrenchFET IV 系列中小直流電壓范圍 MOSFET 上進行擴展。這些 MOSFET 采用 TO-220 和 TO-263 封裝,具有60V、80V 和 100V 直流電壓。應用包括電源、電機驅(qū)動器開關、直流/直流電源逆變器和整流器、電動工具及電池管理。

特性

TrenchFET® 功率 MOSFET

結溫 175°C

非常低的 Qgd 減少了通過 Vplateau所造成的功率損耗

經(jīng) 100(單位:%) Rg 和 UIS 測試

Qgd/Qgs 比 < 0.25

可通過邏輯電平柵極驅(qū)動進行操作

規(guī)格

通道數(shù)量:

1 Channel


晶體管極性:

N-Channel


Vds-漏源極擊穿電壓:

80 V


Id-連續(xù)漏極電流:

120 A


Rds On-漏源導通電阻:

3.4 mOhms


Vgs - 柵極-源極電壓:

+/- 20 V


Vgs th-柵源極閾值電壓:

2 V


Qg-柵極電荷:

94 nC


工作溫度:

+ 175 C


技術:

Si


封裝:

Reel


通道模式:

Enhancement


配置:

1 N-Channel


下降時間:

14 ns


最小工作溫度:

- 55 C


Pd-功率耗散:

375 W


上升時間:

24 ns


晶體管類型:

N-Channel


典型關閉延遲時間:

34 ns


典型接通延遲時間:

24 ns


單位重量:

2 g





 

 


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