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SUP60030E-GE3 n溝道場效應(yīng)管

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱 北京多晶電子科技有限公司
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型號
所在地 北京市
廠商性質(zhì) 其他
更新時(shí)間 2025/2/11 10:00:14
訪問次數(shù) 18

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2020年01月08日至 2020年02月08日

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模內(nèi)澆口分離自動(dòng)化，降低對人的依賴度；傳統(tǒng)的塑膠模具開模后產(chǎn)品與澆口相連，需二道工序進(jìn)行人工剪切分離，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開模前，消除后續(xù)工序，有利于生產(chǎn)自動(dòng)化，降低對人的依賴。

產(chǎn)品簡介

我也要發(fā)布產(chǎn)品信息

SUP60030E-GE3 n溝道場效應(yīng)管更新：2024-3-13 14:46:49點(diǎn)擊：產(chǎn)品品牌Vishay產(chǎn)品型號SUP60030E-GE3產(chǎn)品描述MOSFET N-Channel 80V (D-S) TrenchFET...PDF下載詢價(jià) 申請樣品

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產(chǎn)品介紹

描述

Vishay SUM 和 SUP ThunderFET 技術(shù) TrenchFET MOSFET 引入新的 N 通道極性選項(xiàng)，可在 ThunderFET 和 TrenchFET IV 系列中小直流電壓范圍 MOSFET 上進(jìn)行擴(kuò)展。這些 MOSFET 采用 TO-220 和 TO-263 封裝，具有60V、80V 和 100V 直流電壓。應(yīng)用包括電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器開關(guān)、直流/直流電源逆變器和整流器、電動(dòng)工具及電池管理。

特性

TrenchFET® 功率 MOSFET

結(jié)溫 175°C

非常低的 Qgd 減少了通過 Vplateau所造成的功率損耗

經(jīng) 100（單位：%） Rg 和 UIS 測試

Qgd/Qgs 比 < 0.25

可通過邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)進(jìn)行操作

規(guī)格

安裝風(fēng)格:	Through Hole
封裝 / 箱體:	TO-220AB-3
通道數(shù)量:	1 Channel
晶體管極性:	N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:	80 V
Id-連續(xù)漏極電流:	120 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:	3.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:	+/- 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:	2 V
Qg-柵極電荷:	94 nC
工作溫度:	+ 175 C
技術(shù):	Si
封裝:	Reel
通道模式:	Enhancement
配置:	1 N-Channel
下降時(shí)間:	14 ns
最小工作溫度:	- 55 C
Pd-功率耗散:	375 W
上升時(shí)間:	24 ns
晶體管類型:	N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:	34 ns
典型接通延遲時(shí)間:	24 ns
單位重量:	2.300 g