VDP6800霍爾效應測試儀除了用來判斷半導體材料之型態(tài)（n或p）以外，它也可應用于LED磊晶層的質量判定，也可以用來判斷在HEMT組件中二維電子氣是否形成，此未還可以用于太陽能電池片的制程輔助。 可說是一套功能強大、應用廣泛的系統(tǒng)，再加上平實的價格， 相信必能受到各界用戶之肯定與愛用。

 VDP6800霍爾效應測試儀

儀器簡介：

中國臺灣智果公司VDP6800霍爾效應測試儀為性能穩(wěn)定、功能強大、性價比高的霍爾效應儀,在國內高校、研究所及半導體業(yè)界擁有廣泛的用戶和度。

霍爾效應測試儀輕巧方便，易于攜帶，主要用于量測電子材料之重要特性參數，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等，薄膜或體材料均可，其原理主要依據范德堡法則。 

除了用來判斷半導體材料之型態(tài)(n或p)以外，它也可應用于LED磊晶層的質量判定，也可以用來判斷在HEMT組件中二維電子氣是否形成，此未還可以用于太陽能電池片的制程輔助。 可說是一套功能強大、應用廣泛的系統(tǒng)，再加上平實的價格， 相信必能受到各界用戶之肯定與愛用。

共有三種配置： 常溫；常溫+低溫；常溫+低溫+四點探針系統(tǒng)。

目前廣泛應有于大學，研究所和半導體廠商。

 技術參數：

磁場強度：0.65T; 

常溫和液氮溫度(77K)下測量; 

輸出電流：2nA-100mA; 

遷移率(cm2/Volt-sec): 1~10⁷

電阻率(Ohms.cm):  10^-5 to 10⁷ 

載流子濃度(cm-3):  10⁷~10²¹ (cm^-3)

樣品夾具： VDP6800彈簧樣品夾具(免去制作霍爾樣品的麻煩)；

測量材料：所有半導體材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可測量) 

 主要特點：

1、高精密度電流源 

輸出電流之精確度可達2nA，如此微小之電流可用于半絕緣材料之量測，即高電阻值材料之量測。 

2、高精密度電表 

使用超高精度電表，電壓量測能力可達nV等級，上限可達300V，極適合用于量測低電阻值材料。 

3、外型精簡、操作簡單 

外型輕巧、美觀大方，磁鐵組之極性更換也很靈活容易，*之液氮容器設計，可確保低溫量測之穩(wěn)定性。 

4、I-V曲線 

采用圖表的方式，測量探針四點(A、B、C、D)間電流-電壓曲線，藉此評判樣品的歐姆接觸好壞。 

5、單純好用之操作畫面 

使用者只需在同一張操作畫面中，就可以完成所有的設定，實驗結果由軟件自動計算得到，并在同一張畫面中顯示出來，省卻畫面切換的麻煩，結果可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(Hall Coefficient)、等重要實驗數據。 

6、自行開發(fā)之彈簧樣品夾具，特殊設計之彈簧探針，其強度加強可改善探針與接觸點之電氣接觸，提高量測之可靠度。

7、可集成四點探針

 應用領域： 

所有半導體材料，包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可測量) 

  典型用戶