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上海伯東代理多層膜磁控濺鍍設(shè)備

參考價(jià)1500000-3000000
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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上海伯東代理多層膜磁控濺鍍設(shè)備 Multilayer sputter 擁有基板公自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu), 搭配美國 KRI 離子源可實(shí)現(xiàn)多層膜結(jié)構(gòu)并可以一次批量生產(chǎn), 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體, 納米科技, 太陽能電池, 科研等行業(yè), 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.

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多層膜磁控濺鍍設(shè)備 Multilayer Sputter

多層膜磁控濺鍍設(shè)備 Multilayer sputter
多層膜的結(jié)構(gòu)廣泛用于各個(gè)領(lǐng)域. 在單一材料薄膜無法滿足所需規(guī)格的精密系統(tǒng)中, 高質(zhì)量多層膜的作用至關(guān)重要. 因此, 新材料的開發(fā)和薄膜的準(zhǔn)確控制制程已成為當(dāng)前多層薄膜研究的重要方向. 上海伯東代理多層膜磁控濺鍍設(shè)備 Multilayer sputter 擁有基板公自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu), 搭配美國 KRI 離子源可實(shí)現(xiàn)多層膜結(jié)構(gòu)并可以一次批量生產(chǎn), 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體, 納米科技, 太陽能電池, 科研等行業(yè), 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.

上海伯東多層膜磁控濺鍍設(shè)備配置和優(yōu)點(diǎn)
客制化基板尺寸, zui大直徑可達(dá) 12寸晶圓
薄膜均勻度小于 ±3%
磁控濺鍍源(最多6個(gè)源), 靶材尺寸多種可選
射頻, 直流或脈沖直流, 分別用于非導(dǎo)電, 導(dǎo)電靶材
具有順序操作或共沉積的多個(gè)濺鍍源
流量控制器(最多4條氣體管線)
基板可加熱到 600°C
基材到靶材的間距可調(diào)節(jié)
每個(gè)濺鍍源和基板均安裝遮板
多層膜磁控濺鍍設(shè)備
載臺(tái)可公自轉(zhuǎn)或定在靶材位置自轉(zhuǎn)

磁控濺鍍設(shè)備基本參數(shù)

系統(tǒng)類型

Real 超高真空

超高真空

高真空

緊湊型高真空

極限真空

5X10-10 Torr

5X10-9 Torr

3X10-7 Torr

5X10-7 Torr

腔室密封

全部 CF(烘烤)

一些密封圈(烘烤)

全部密封圈

全部密封圈

電子槍

3-4, 2-3 英寸

3-4, 2-4 英寸

3-4, 2-4 英寸

3-4, 2-3 英寸

電源

DC / DC pulse / RF

DC / DC pulse / RF

DC / DC pulse / RF

DC / DC pulse / RF

Load-lock

標(biāo)準(zhǔn)(HV)

標(biāo)準(zhǔn)(HV)

標(biāo)準(zhǔn)(HV)/可選

標(biāo)準(zhǔn)(HV)/可選

基板

4-6 英寸
加熱至 800°C或水冷

4-8 英寸
加熱至 800°C或水冷

4-8 英寸
加熱至 800°C

4-6 英寸
加熱至 800°C

真空泵

低溫泵

低溫泵 / 分子泵

分子泵

分子泵

監(jiān)控

真空規(guī)和Baratron

真空規(guī)和Baratron

真空規(guī)和Baratron

真空規(guī)和Baratron

工藝控制

部分 / 3位 /手動(dòng)閘閥

部分 / 3位 /手動(dòng)閘閥

部分 / 3位 /手動(dòng)閘閥

部分 / 3位 /手動(dòng)閘閥

氣體

氬氣, 氮?dú)? 氧氣(load-lock可選)

氬氣, 氮?dú)? 氧氣(load-lock可選)

氬氣, 氮?dú)? 氧氣

氬氣, 氮?dú)? 氧氣

射頻偏壓清潔

300W RF(清潔和蝕刻)

300W RF(清潔和蝕刻)

可選

可選

離子源

100 KRi 離子源

100 KRi 離子源

可選

可選

薄膜

鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等

鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等

二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等

二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等

磁控濺鍍設(shè)備 Sputter

腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應(yīng)用
寬大的前開式門, 并有兩個(gè)窗口和窗口遮版用于觀察基材和濺鍍源
具有顯示功能的全量程真空計(jì)和用于壓力控制的 Baratron 真空計(jì)
腔體的極限真空度約 10-8 Torr

選件
可以與傳送腔, 機(jī)械手臂和手套箱整合在一起
結(jié)合離子源, 熱蒸發(fā)源, 電子束...
基板可用射頻或直流偏壓
膜厚監(jiān)測儀
射頻等離子清潔用于基材
OES, RGA 或制程監(jiān)控的額外備用端口

應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體類, 納米科技
產(chǎn)品質(zhì)量控制和質(zhì)量檢查
氧化物, 氮化物和金屬材料的研究
太陽能電池
光學(xué)研究, 材料研究

若您需要進(jìn)一步的了解上海伯東磁控濺射鍍膜機(jī), 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生   



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